中证网讯(记者 吴科任)华虹半导体(01347.HK)7月20日宣布消息称,公司95纳米SONOS嵌入式非易失性存储器(eNVM,Embedded Non-VolatileMemory)工艺平台通过不停的创新升级,技术优势进一步增强,可靠性响应大幅提升。

  公司先容,95纳米SONOS eNVM工艺技术普及应用于微控制器(MCU)、物联网等规模,具有不变性好、可靠性高、功耗低等利益。相对上一代技术,95纳米SONOS eNVM 5V工艺实现了更小设计规则,得到了同类产物芯片面积的缩小;逻辑部门芯片门密度较现有业界同类工艺提升凌驾40%,到达业界领先水平;所需光罩层数较少,可以或许提供更具成本效益的解决方案。同时,95纳米SONOS eNVM 5V工艺具有更高集成度和领先的器件性能,存储介质擦/写特征到达了2毫秒的先历水平;低功耗器件驱下手段提高20%,仅用5V器件可以笼罩1.7V至5.5V的宽电压应用。

  华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示:“在‘8英寸+12 英寸’战略定位的指引下,公司在8英寸平台上,通过缩小存储单元IP面积、镌汰光罩层数等方法来进一步强化嵌入式闪存技术工艺;同时,我们施展12英寸平台更小线宽特征,打造高性能的嵌入式非易失性存储器工艺技术平台,在牢固智能卡芯片制造领航者职位的同时,满足物联网、MCU、汽车电子等高增添的市场需求。”

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